2SB817C-1E

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Especificaciones

Número de pieza

2SB817C-1E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 140V 12A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SB817C-1E.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

140V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-3P-3L
Serie

-
Potencia - Max

120W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres

2SB817C-1E-ND
2SB817C-1EOS
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

10MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

12A

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Forma de pago

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31/03/2025

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Fabricantes: Power Integrations

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