2N5686G

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Especificaciones

Número de pieza

2N5686G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 80V 50A TO3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2N5686G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

5V @ 10A, 50A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-3
Serie

-
Potencia - Max

300W
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

TO-204AE
Otros nombres

2N5686GOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

2MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 50A 2MHz 300W Through Hole TO-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 25A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

1mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

50A
Número de pieza base

2N5686

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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2N5684G

Descripción: TRANS PNP 80V 50A TO3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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