2N5551RL1

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Especificaciones

Número de pieza

2N5551RL1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

2N5551RL1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

160V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Potencia - Max

625mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

300MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

50nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

600mA
Número de pieza base

2N5551

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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2N5551RLRA

Descripción: TRANS NPN 160V 0.6A TO92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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