2N5302G

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Especificaciones

Número de pieza

2N5302G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 60V 30A TO3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2N5302G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 6A, 30A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-204 (TO-3)
Serie

-
Potencia - Max

200W
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

TO-204AA, TO-3
Otros nombres

2N5302GOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

2MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 30A 2MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 15A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

5mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

30A
Número de pieza base

2N5302

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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2N5308_D26Z

Descripción: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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