El 29 de agosto de 2024, SK Hynix anunció el primer desarrollo exitoso del mundo de 16 GB (Gigabit) DDR5 DRAM utilizando el proceso de nanómetro de sexta generación 10 (1C).Como resultado, la compañía ha demostrado al mundo su tecnología de almacenamiento ultra fina con un diámetro de poco más de 10 nanómetros.
SK Hynix enfatizó "Con la generación por transmisión de generación de la tecnología DRAM de 10 nanométricos, la dificultad de la microfabricación también ha aumentado.Industria, y ha tomado la iniciativa de los límites tecnológicos.
La compañía desarrolló el proceso 1C expandiendo la plataforma DRAM 1B.El equipo de tecnología SK Hynix cree que esto no solo puede reducir la posibilidad de prueba y error durante el proceso de actualización del proceso, sino que también transferir efectivamente la ventaja del proceso SK Hynix 1B, que se reconoce por su DRAM de mayor rendimiento en la industria, al1C Proceso.
Además, SK Hynix ha desarrollado y aplicado nuevos materiales en algunos procesos EUV, y optimizado los procesos aplicables de EUV durante todo el proceso, asegurando así la competitividad de los costos.Al mismo tiempo, la innovación de tecnología de diseño también se ha llevado a cabo en el proceso 1C, y en comparación con el proceso de generación 1b anterior, su productividad ha aumentado en más del 30%.
Esta DRAM 1C DDR5 se utilizará principalmente en centros de datos de alto rendimiento, con una velocidad de ejecución de 8 Gbps (8 gigabits por segundo), un aumento del 11% en la velocidad en comparación con la generación anterior.Además, la eficiencia energética también ha aumentado en más del 9%.Con el advenimiento de la era de la IA, el consumo de energía de los centros de datos continúa aumentando.Si los clientes globales que operan los servicios en la nube adoptan SK Hynix 1C DRAM en sus centros de datos, la compañía predice que sus facturas de electricidad pueden reducirse hasta en un 30%.
El vicepresidente de desarrollo de SK Hynix DRAM, Kim Jong Hwan, dijo: "La tecnología de proceso 1C combina la competitividad de mayor rendimiento y costo, y la compañía lo aplica a la última generación de HBM *, LPDDR6 *, GDDR7 *y otros grupos de productos principales de DRAM avanzados,Proporcionando un valor diferenciado a los clientes.
*HBM (memoria de alto ancho de banda): un producto de alto valor agregado y de alto rendimiento que conecta verticalmente múltiples DRAM y mejora significativamente la velocidad de procesamiento de datos en comparación con DRAM.Los productos DRAM HBM se desarrollan en el orden de HBM (primera generación) - HBM2 (segunda generación) - HBM2E (tercera generación) - HBM3 (cuarta generación) - HBM3E (quinta generación) - HBM4 (sexta generación) - HBM4E (séptima generación).
*LPDDR (tasa de datos de doble potencia de doble potencia): es una especificación DRAM utilizada en productos móviles como teléfonos inteligentes y tabletas, con el objetivo de minimizar el consumo de energía y con una operación de bajo voltaje.El nombre de la especificación es LP (baja potencia), y la última especificación es LPDDR Séptima Generación (5X), desarrollada en el orden de 1-2-3-4-4X-5X-6.
*GDDR (Graphics DDR, Double Data Transfer Memory para gráficos): una especificación DRAM estándar para gráficos especificados por la Organización Internacional de Estándares de Dispositivos de Semiconductores (JEDEC).Una especificación diseñada específicamente para el procesamiento de gráficos, esta serie de productos se desarrolla en el orden de 3, 5, 5x, 6 y 7. Cuanto más nueva sea la serie, más rápido se ejecuta y mayor es su eficiencia energética.Este producto ha atraído la atención como una memoria de alto rendimiento ampliamente utilizada en los campos de gráficos e inteligencia artificial.
