Enfrentando la creciente demanda del mercado y la recuperación continua de la industria del almacenamiento, Samsung ha confirmado su plan de inversión para construir una línea de producción de memoria DRAM del proceso de 1C en la fábrica Pyeongtaek P4, con el objetivo de la producción en masa en junio de 2025.
Samsung Pyeongtaek P4 es un centro integral de producción de semiconductores, dividido en cuatro fases.El plan inicial de Samsung era producir memoria flash flash NAND en la fase uno, la fundición lógica en la fase dos y la memoria DRAM en las fases tres y cuatro.Samsung ya ha importado dispositivos DRAM en la Fase 1 de P4, pero anunció la suspensión de la construcción de la Fase 2.
El DRAM del proceso nanométrico 1C es el proceso DRAM de nivel 10 nanométrico de la sexta generación, y no se han liberado productos de nanómetro 1C de memoria importante.Samsung planea lanzar la producción de nanómetro 1C para fin de año.Samsung está considerando lanzar el HBM4 en la segunda mitad de 2025 utilizando un DRAM nanométrico de 1C, o utilizando procesos DRAM más avanzados para mejorar su competitividad y ponerse al día con su competidor SK Hynix.
Teniendo en cuenta que HBM consume mucho más obleas de DRAM que la memoria tradicional, Samsung Pyeongtaek P4 está construyendo una línea de producción de 1C Nanometro DRAM, que el mercado especula que es una preparación para HBM4.
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