SK8403190L

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Especificaciones

Número de pieza

SK8403190L
Fabricante / Marca

Panasonic
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSSO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SK8403190L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1.01mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

HSSO8-F1-B
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 70A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 19W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerSMD, Flat Leads
Otros nombres

P16266DKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 10A (Ta), 19A (Tc) 2W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSSO8-F1-B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 19A (Tc)

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SK84C V6G

Descripción: DIODE SCHOTTKY 8A 40V DO-214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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