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PSMN4R3-30PL,127

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN4R3-30PL,127
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PSMN4R3-30PL,127.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.15V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.3 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

103W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

1727-4266
568-4897-5
568-4897-5-ND
934063918127
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

41.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 100A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Forma de pago

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09/10/2024

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Fabricantes: Nexperia

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