R6020ENZ1C9

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Especificaciones

Número de pieza

R6020ENZ1C9
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6020ENZ1C9.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

1400pF @ 25V
Tensión - Desglose

TO-247
VGS (th) (Max) @Id

196 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tube
RDS (Max) @Id, Vgs

20A (Tc)
Polarización

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Número de pieza del fabricante

R6020ENZ1C9
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

60nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 1mA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

600V
relación de capacidades

120W (Tc)

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R6020825HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

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