International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB3207PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFB3207PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFB3207PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.5 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

330W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRFB3207PBF
SP001572410
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

260nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

170A (Tc)

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IRFB3306GPBF

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