International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7389TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7389TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7389TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

29 mOhm @ 5.8A, 10V
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

IRF7389PBFDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-
Número de pieza base

IRF7389PBF

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IRF7402TRPBF

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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