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5670493Imagen SI7101DN-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7101DN-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI7101DN-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerPAK® 1212-8
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    PowerPAK® 1212-8
  • Otros nombres
    SI7101DN-T1-GE3TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3595pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    102nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Descripción: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Descripción: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Descripción: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Descripción: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Descripción: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Descripción: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7108DN-T1-E3

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7100DN-T1-GE3

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Descripción: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Descripción: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Descripción: SI7060 EVALUATION BOARD

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)
Existencias disponibles

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