SI5432DC-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI5432DC-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI5432DC-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 8.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

SI5432DC-T1-GE3TR
SI5432DCT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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SI5441BDC-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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