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ZXMN6A08E6TC

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMN6A08E6TC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN6A08E6TC.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-26
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 4.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

459pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "ZXMN6A08E6TC".

ZXMN6A09KTC

Descripción: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

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