NVB6410ANT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NVB6410ANT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVB6410ANT4G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

13 mOhm @ 76A, 10V
La disipación de energía (máximo)

188W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

120nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 76A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NVB6410ANT4G".

NVB5426NT4G

Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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