NVB60N06T4G

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Especificaciones

Número de pieza

NVB60N06T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 60V D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta), 150W (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

81nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NVB60N06T4G".

SI4168DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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