NTMS4917NR2G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMS4917NR2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTMS4917NR2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

880mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1054pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 7.1A (Ta) 880mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.1A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTMS4873NFR2G

Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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