FDG316P

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Especificaciones

Número de pieza

FDG316P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDG316P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 1.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

750mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

FDG316P-ND
FDG316PTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 1.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDG326P

Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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