ATP112-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

ATP112-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ATP112-TL-H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ATPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

43 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

ATPAK (2 leads+tab)
Otros nombres

ATP112-TL-HOSDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 25A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "ATP112-TL-H".

ATP107-TL-H

Descripción: MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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